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LM211D、LM211QD、LM211DG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM211D LM211QD LM211DG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM211D  模拟比较器, 轨至轨, 高速, 1, 165 ns, 3.5V 至 30V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM211QD  模拟比较器, 单路, 高速, 1, 115 ns, 3.5V 至 30V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  LM211DG  模拟比较器, 单路, 高速, 1, 200 ns, 5V 至 30V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 比较器比较器比较器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.50V (min) 3.50V (min) 5.00V (min)

无卤素状态 - - Halogen Free

供电电流 6 mA 6 mA 6 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

耗散功率 - - 625 mW

输入补偿电压 4 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 100 nA 100 nA 100 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -25 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

电源电压 3.5V ~ 30V 3.5V ~ 30V 5V ~ 30V

工作电压 3.5V ~ 30V - -

输出电流 50 mA 50 mA -

电源电压(Max) 30 V 30 V -

电源电压(Min) 3.5 V 3.5 V -

静态电流 - 5.10 mA -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99