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XC17S10XLVO8C、XC17S10XLVOG8C、XC17S10PD8I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 XC17S10XLVO8C XC17S10XLVOG8C XC17S10PD8I

描述 PROM Serial 93.5Kbit 3.3V 8Pin TSOPPROM Serial 93.5Kbit 3.3V 8Pin TSOPPROM Serial 92.8Kbit 5V 8Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Xilinx (赛灵思) Xilinx (赛灵思) Xilinx (赛灵思)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

内存容量 100000 B - -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead