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XC17S10XLVO8C

XC17S10XLVO8C

数据手册.pdf
Xilinx(赛灵思) 主动器件
XC17S10XLVO8C中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

内存容量 100000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

XC17S10XLVO8C引脚图与封装图
XC17S10XLVO8C引脚图

XC17S10XLVO8C引脚图

XC17S10XLVO8C封装图

XC17S10XLVO8C封装图

XC17S10XLVO8C封装焊盘图

XC17S10XLVO8C封装焊盘图

在线购买XC17S10XLVO8C
型号 制造商 描述 购买
XC17S10XLVO8C Xilinx 赛灵思 PROM Serial 93.5Kbit 3.3V 8Pin TSOP 搜索库存
替代型号XC17S10XLVO8C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: XC17S10XLVO8C

品牌: Xilinx 赛灵思

封装: 8-SOIC 100000B 3.3V

当前型号

PROM Serial 93.5Kbit 3.3V 8Pin TSOP

当前型号

型号: XC17S10XLPD8C

品牌: 赛灵思

封装: DIP 100000B 3.3V 8Pin

完全替代

PROM Serial 93.5Kbit 3.3V 8Pin PDIP

XC17S10XLVO8C和XC17S10XLPD8C的区别

型号: XC17S10XLPD8I

品牌: 赛灵思

封装: DIP 100000B 3.3V 8Pin

完全替代

PROM Serial 93.5Kbit 3.3V 8Pin PDIP

XC17S10XLVO8C和XC17S10XLPD8I的区别