锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRL540、IRL540N、IRL540NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL540 IRL540N IRL540NPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3TO-220AB N-CH 100V 36AINFINEON  IRL540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-220 TO-220-3

额定功率 - - 140 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 44.0 mΩ (max) 0.044 Ω

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - - 140 W

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 1800 pF

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 36.0 A 36A

上升时间 - 81.0 ns 81 ns

输入电容(Ciss) - - 1800pF @25V(Vds)

下降时间 - - 62 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 140W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 36.0 A -

产品系列 - IRL540N -

漏源击穿电压 - 100V (min) -

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 8.77 mm

封装 - TO-220 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17