IRL540N
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRL540N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 36.0 A
漏源极电阻 44.0 mΩ max
极性 N-CH
产品系列 IRL540N
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100V min
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 81.0 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRL540N引脚图与封装图
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在线购买IRL540N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRL540N | Infineon 英飞凌 | TO-220AB N-CH 100V 36A | 搜索库存 |
替代型号IRL540N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRL540N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 N-CH 100V 36A 44mΩ | 当前型号 | TO-220AB N-CH 100V 36A | 当前型号 |
| 型号： IRL540NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 100V 36A | 功能相似 | INFINEON IRL540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 2 V | IRL540N和IRL540NPBF的区别 |
| 型号： IRL540 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 36A ID, 100V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRL540N和IRL540的区别 |