SI4425BDY-T1-E3、SI4427BDY-T1-E3、SI4425BDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4425BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4425BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mVVISHAY  SI4427BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -1.4 VVISHAY  SI4425BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.01 Ω 0.0088 Ω 19 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.5 W 1.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) -11.4 A -12.6 A -11.4 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

上升时间 13 ns 15 ns -

下降时间 53 ns 110 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1500 mW -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC

长度 5 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.55 mm 1.55 mm -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -