SI4427BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0088 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -12.6 A
上升时间 15 ns
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4427BDY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4427BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4427BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4427BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -1.4 V | 搜索库存 |
替代型号SI4427BDY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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