BSM100GB120DN2K、GP200MHS12、B120对比区别

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型号 BSM100GB120DN2K GP200MHS12 B120

描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)Half Bridge IGBT ModuleBREAKER 20A 1P 120V 10K BL

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Dynex Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Screw - -

引脚数 7 - -

封装 34MM-1 - -

耗散功率 700 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 1.20 kV - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 700000 mW - -

长度 94 mm - -

宽度 34 mm - -

高度 30.5 mm - -

封装 34MM-1 - -

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -