BSM100GB120DN2K
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSM100GB120DN2K中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 700 W
击穿电压集电极-发射极 1.20 kV
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 700000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 7
封装 34MM-1
外形尺寸
长度 94 mm
宽度 34 mm
高度 30.5 mm
封装 34MM-1
其他
产品生命周期 Not Recommended
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSM100GB120DN2K引脚图与封装图
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在线购买BSM100GB120DN2K
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSM100GB120DN2K | Infineon 英飞凌 | IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate | 搜索库存 |
替代型号BSM100GB120DN2K
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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