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BAS17TRL13、BAS17,215、CBAS17TRLEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS17TRL13 BAS17,215 CBAS17TRLEADFREE

描述 DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor DiodeNXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。Stabistor Diode, 0.96V V(FM), Silicon

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-23-3 -

正向电压 - 960mV @100mA -

耗散功率 - 0.25 W -

热阻 - 500℃/W (RθJA) -

正向电流 - 200 mA -

正向电压(Max) - 960mV @100mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 - 150℃ (Max) -

耗散功率(Max) - 250 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 - SOT-23-3 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - -1.8 MV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -