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BAS17,215
NXP 恩智浦 分立器件
BAS17,215中文资料参数规格
技术参数

正向电压 960mV @100mA

耗散功率 0.25 W

热阻 500℃/W RθJA

正向电流 200 mA

正向电压Max 960mV @100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 -1.8 MV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

BAS17,215引脚图与封装图
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在线购买BAS17,215
型号 制造商 描述 购买
BAS17,215 NXP 恩智浦 NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。 搜索库存
替代型号BAS17,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAS17,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB

当前型号

NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

当前型号

型号: BAS17

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB

功能相似

NXP  BAS17  二极管 小信号, 单, 200 mA, 960 mV

BAS17,215和BAS17的区别

型号: BAS17TRL13

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode

BAS17,215和BAS17TRL13的区别