正向电压 960mV @100mA
耗散功率 0.25 W
热阻 500℃/W RθJA
正向电流 200 mA
正向电压Max 960mV @100mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -1.8 MV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BAS17,215 | NXP 恩智浦 | NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BAS17,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236AB | 当前型号 | NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。 | 当前型号 | |
型号: BAS17 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB | 功能相似 | NXP BAS17 二极管 小信号, 单, 200 mA, 960 mV | BAS17,215和BAS17的区别 | |
型号: BAS17TRL13 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode | BAS17,215和BAS17TRL13的区别 |