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DS1245Y-70IND+、DS1245Y-70+、M48Z128-70PM1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245Y-70IND+ DS1245Y-70+ M48Z128-70PM1

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70+  芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIP1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 EDIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 32 32 -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.75 V

工作电压 - 5 V -

供电电流 - - 105 mA

存取时间(Max) - - 70 ns

长度 44.2 mm 44.19 mm 43.18 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.9 mm 10.92 mm 9.52 mm

封装 EDIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 3A991.b.2.a - EAR99

香港进出口证 - NLR -