MTD6N20ET4、MTD6N20ET4G、MTD5P06VT4G对比区别

高亮显示差异参数

型号 MTD6N20ET4 MTD6N20ET4G MTD5P06VT4G

描述 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAKON SEMICONDUCTOR  MTD6N20ET4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 VON SEMICONDUCTOR  MTD5P06VT4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -60.0 V

额定电流 6.00 A 6.00 A -5.00 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 460 mΩ 0.46 Ω 0.34 Ω

极性 N-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 1.75W (Ta), 50W (Tc) 50 W 40 W

阈值电压 - 3 V 2.8 V

输入电容 - 480 pF 510 pF

栅电荷 - 21.0 nC 20.0 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 60 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 5.00 A

上升时间 29.0 ns 29 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 40 W

下降时间 - 20 ns 19 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc)

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2018/01/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99