锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BTS133TCBUMA1、VNB28N04-E、VNB20N0713TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS133TCBUMA1 VNB28N04-E VNB20N0713TR

描述 INFINEON  BTS133TCBUMA1  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 28A, TO-263-3STMICROELECTRONICS  VNB28N04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS VNB20N0713TR MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 70V, 0.05Ω, 10V, 800mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 负载控制器MOS管FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 - 35 mΩ 0.05 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 83 W 83 W

阈值电压 - 3 V 800 mV

漏源极电压(Vds) - 51 V 70 V

漏源击穿电压 - 42.0 V 70 V

连续漏极电流(Ids) - 14.0 A 20.0 A

输出电流(Max) - 19 A 14 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - 70.0 V

额定电流 - - 20.0 A

通道数 - - 1

上升时间 - - 240 ns

下降时间 - - 150 ns

工作温度(Min) -40 ℃ - 55 ℃

输出电流 7 A - -

输出电流(Min) 7 A - -

耗散功率(Max) 90000 mW - -

电源电压(Max) 2.2 V - -

电源电压(Min) 1.3 V - -

输入电压 10 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99