VNB28N04-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
针脚数 3
漏源极电阻 35 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 51 V
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输出电流Max 19 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNB28N04-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VNB28N04-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNB28N04-E | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS VNB28N04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号VNB28N04-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNB28N04-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 14A 35mohms | 当前型号 | STMICROELECTRONICS VNB28N04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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| 型号： BTS133TCBUMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 | 功能相似 | INFINEON BTS133TCBUMA1 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 28A, TO-263-3 | VNB28N04-E和BTS133TCBUMA1的区别 |