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JANS1N829-1、RH829A-1、1N829对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N829-1 RH829A-1 1N829

描述 6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature CompensatedDO-7 6.2V 0.5W(1/2W)集成温度补偿齐纳二极管参考CHIPS Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-7 DO-7

耗散功率 0.5 W 500 mW 500 mW

测试电流 7.5 mA 7.5 mA 7.5 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

容差 - - ±5 %

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

封装 DO-35 DO-7 DO-7

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃