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MJE2955TG、MJE2955TTU、MJE2955T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE2955TG MJE2955TTU MJE2955T

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE2955TG  双极晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SiliconSTMICROELECTRONICS  MJE2955T  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 -10.0 A - -10.0 A

针脚数 3 - 3

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 75 W 0.6 W 75 W

增益频宽积 2 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 1.67℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 10A - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 75 W 600 mW 75 W

直流电流增益(hFE) 2 - 20

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 600 mW 75000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 70

长度 10.28 mm - 10.4 mm

宽度 4.83 mm - 4.6 mm

高度 9.28 mm - 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -