IPU80R1K0CEAKMA1、IPU80R1K0CEBKMA1对比区别

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型号 IPU80R1K0CEAKMA1 IPU80R1K0CEBKMA1

描述 N沟道 800V 5.7ATO-251 N-CH 800V 5.7A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-251 TO-251-3

额定功率 - 83 W

极性 - N-CH

耗散功率 - 83 W

漏源极电压(Vds) - 800 V

连续漏极电流(Ids) - 5.7A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 785pF @100V(Vds) 785pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 83 W

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)

长度 - 6.73 mm

宽度 - 2.38 mm

高度 - 6.22 mm

封装 TO-251 TO-251-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free