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IPU80R1K0CEAKMA1

IPU80R1K0CEAKMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 800V 5.7A

Summary of Features:

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Low specific on-state resistance R DSon*A
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Very low energy storage in output capacitance E oss @ 400V
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Low gate charge Q g
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Field-proven CoolMOS™ quality
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CoolMOS™ technology has been manufactured by since 1998

Benefits:

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High efficiency and power density
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Outstanding price/performance
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High reliability
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Ease-of-use

Target Applications:

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LED lighting
IPU80R1K0CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 785pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

引脚数 3

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPU80R1K0CEAKMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPU80R1K0CEAKMA1 Infineon 英飞凌 N沟道 800V 5.7A 搜索库存
替代型号IPU80R1K0CEAKMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPU80R1K0CEAKMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: PG-TO251

当前型号

N沟道 800V 5.7A

当前型号

型号: IPU80R1K0CEBKMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-251-3 N-CH 800V 5.7A

完全替代

TO-251 N-CH 800V 5.7A

IPU80R1K0CEAKMA1和IPU80R1K0CEBKMA1的区别