FDC637AN、SI3446ADV-T1-E3、SI3460DDV-T1-GE3对比区别

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型号 FDC637AN SI3446ADV-T1-E3 SI3460DDV-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 24 mohm, 4.5 V, 820 mVVISHAY  SI3446ADV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 6A, TSOPVISHAY  SI3460DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOP TSOP-6

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.024 Ω 65 mΩ 0.023 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.6 W 2 W 1.7 W

阈值电压 820 mV 1.8 V 400 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

输入电容(Ciss) 1125pF @10V(Vds) 640pF @10V(Vds) 666pF @10V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 2 W 2.7 W

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 6.20 A - -

输入电容 1.12 nF - -

栅电荷 10.5 nC - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.20 A 6.00 A -

上升时间 13 ns - -

额定功率(Max) 800 mW - -

下降时间 11 ns - -

长度 3 mm 3.05 mm 3.1 mm

宽度 1.7 mm 1.65 mm 1.7 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 TSOT-23-6 TSOP TSOP-6

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -