IRLMS1902TR、IRLMS1902TRPBF、9956对比区别
型号 IRLMS1902TR IRLMS1902TRPBF 9956
描述 TSOP N-CH 20V 3.2AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 6 -
封装 SOT-23-6 SOT-23-6 -
额定功率 - 1.7 W -
漏源极电阻 - 0.1 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 1.7W (Ta) 1.7 W -
阈值电压 - 700 mV -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -
连续漏极电流(Ids) 3.20 A 3.2A -
上升时间 11.0 ns 11 ns -
输入电容(Ciss) 300pF @15V(Vds) 300pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) - 1.7 W -
下降时间 - 4 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) -
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 3.20 A - -
产品系列 IRLMS1902 - -
长度 - 3 mm -
宽度 - 1.75 mm -
高度 - 1.3 mm -
封装 SOT-23-6 SOT-23-6 -
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -