额定电压DC 20.0 V
额定电流 3.20 A
极性 N-Channel
耗散功率 1.7W Ta
产品系列 IRLMS1902
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 11.0 ns
输入电容Ciss 300pF @15VVds
耗散功率Max 1.7W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-6
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRLMS1902TR | Infineon 英飞凌 | TSOP N-CH 20V 3.2A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLMS1902TR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TSOP N-Channel 20V 3.2A | 当前型号 | TSOP N-CH 20V 3.2A | 当前型号 | |
型号: IRLMS1902TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 20V 3.2A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRLMS1902TR和IRLMS1902TRPBF的区别 | |
型号: IRF9956PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL Dual N-Channel 30V 3.5A | 功能相似 | INFINEON IRF9956PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1 V | IRLMS1902TR和IRF9956PBF的区别 | |
型号: IRF9956TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC N-Channel 30V 3.5A | 功能相似 | IRF9956TRPBF 编带 | IRLMS1902TR和IRF9956TRPBF的区别 |