RQ5E040AJTCL、RTR040N03TL对比区别
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 1.5 VROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-346-3 SOT-23-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 27 mΩ 0.066 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 1 W 1 W
阈值电压 500 mV 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 4.00 A
上升时间 5.9 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 480pF @15V(Vds) 475pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W
下降时间 5.7 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)
通道数 1 -
漏源击穿电压 30 V -
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.60 mm
高度 - 0.85 mm
封装 SOT-346-3 SOT-23-3
材质 - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15