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RQ5E040AJTCL、RTR040N03TL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RQ5E040AJTCL RTR040N03TL

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 1.5 VROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-346-3 SOT-23-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 27 mΩ 0.066 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 1 W 1 W

阈值电压 500 mV 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 4.00 A

上升时间 5.9 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 480pF @15V(Vds) 475pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W

下降时间 5.7 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)

通道数 1 -

漏源击穿电压 30 V -

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.60 mm

高度 - 0.85 mm

封装 SOT-346-3 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15