71V65603S133BQGI8、IDT71V65603S133BQ、IDT71V67602S133BQG对比区别

高亮显示差异参数

型号 71V65603S133BQGI8 IDT71V65603S133BQ IDT71V67602S133BQG

描述 静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V256K ×36 ， 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMsIC SRAM 9Mbit 133MHz 165CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

封装 CABGA-165 TBGA TBGA-165

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 165 - -

封装 CABGA-165 TBGA TBGA-165

长度 15 mm - -

宽度 13 mm - -

高度 1.2 mm - -

厚度 1.20 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 3A991

电源电压 3.135V ~ 3.465V - 3.135V ~ 3.465V

存取时间 7.5 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)