PIC18LF2221-I/SO、PIC18F2221-I/SO、PIC18LF2220-I/SO对比区别

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型号 PIC18LF2221-I/SO PIC18F2221-I/SO PIC18LF2220-I/SO

描述 PIC18 系列 512 B RAM 4 kB 闪存 8位 增强型 微控制器 - SOIC-28MICROCHIP  PIC18F2221-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 4 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOIC28 /40/ 44引脚高性能，增强型闪存微控制器与10位A / D和纳瓦技术 28/40/44-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 8位微控制器8位微控制器8位微控制器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

频率 - 40 MHz 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 4.2V ~ 5.5V -

针脚数 - 28 -

时钟频率 40.0 MHz 32.0 MHz, 40.0 MHz 40.0 MHz

RAM大小 512 b 512 B 512 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 4096 B 4096 B -

I/O引脚数 25 25 25

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 - 25 Input -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5 V

电源电压(Min) 2 V 4.2 V 2 V

耗散功率 1000 mW - 1000 mW

内核子架构 - - PIC18

长度 - 17.9 mm 17.87 mm

宽度 - 7.49 mm 7.49 mm

高度 - 2.31 mm 2.31 mm

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 3A991.a.2 3A991.a.2 -

HTS代码 - 8542310001 -