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2N4237、JAN2N4237、2N4237.MOD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4237 JAN2N4237 2N4237.MOD

描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTrans Npn 40V 1A To39Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-39 TO-205 -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @250mA, 1V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-39 TO-205 -

材质 Silicon - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -