JAN2N4237
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N4237中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 30 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N4237引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N4237
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N4237 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Trans Npn 40V 1A To39 | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N4237 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 40V 1A 3Pin TO-39 | JAN2N4237和JANTXV2N4237的区别 |
| 型号： JANTX2N4237 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 40V 1A 3Pin TO-39 | JAN2N4237和JANTX2N4237的区别 |
| 型号： 2N4237 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 类似代替 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N4237和2N4237的区别 |
