IRF6648、IRF6648TRPBF、6648对比区别

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型号 IRF6648 IRF6648TRPBF 6648

描述 Direct-FET N-CH 60V 86AINFINEON  IRF6648TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 60 V, 0.0055 ohm, 10 V, 4 V 新Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 7 7 -

封装 DirectFET-MN Direct-FET -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 86.0 A - -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 2.8 W 89 W -

产品系列 IRF6648 - -

漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 86.0 A 86A -

上升时间 29 ns 29 ns -

输入电容(Ciss) 2120pF @25V(Vds) 2120pF @25V(Vds) -

下降时间 13 ns 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 2800 mW 2.8W (Ta), 89W (Tc) -

额定功率 - 89 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.0055 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 2120 pF -

额定功率(Max) - 2.8 W -

长度 6.35 mm 6.35 mm -

宽度 5.05 mm 5.05 mm -

高度 0.7 mm - -

封装 DirectFET-MN Direct-FET -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -