IRF6648
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF6648中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 86.0 A
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6648
漏源极电压Vds 60.0 V
连续漏极电流Ids 86.0 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 2120pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 DirectFET-MN
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MN
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch High Side, Battery Operated Drive, Isolated Primary Side MOSFETs, Class D Audio
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF6648引脚图与封装图
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在线购买IRF6648
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6648 | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 60V 86A | 搜索库存 |
替代型号IRF6648
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6648 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET-MN N-CH 60V 86A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 60V 86A | 当前型号 |
| 型号： IRF6648TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 86A | 功能相似 | INFINEON IRF6648TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 60 V, 0.0055 ohm, 10 V, 4 V 新 | IRF6648和IRF6648TRPBF的区别 |
| 型号： 6648 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 86A ID, 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | IRF6648和6648的区别 |