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TLV2372ID、TLV2372IDR、TLV2371IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2372ID TLV2372IDR TLV2371IDR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLV2372ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLV2371IDR  芯片, 运算放大器, 1路, 2.4MHz, 低功率, SOIC8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 5 mA 8mA @5V 8mA @5V

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 1

通道数 2 2 1

针脚数 8 8 8

耗散功率 710 mW 710 mW 0.71 W

共模抑制比 55dB ~ 72dB 55 dB 55 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 3 MHz 2.4 MHz 2.4 MHz

转换速率 2.40 V/μs 2.40 V/μs 2.40 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

输入补偿电压 6 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW

共模抑制比(Min) 55 dB 55 dB 55 dB

电源电压(DC) 16.0 V - -

工作电压 2.7V ~ 16V - -

电源电压 2.7V ~ 16V - -

电源电压(Max) 16 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15