IRFRC20PBF、IRFRC20TRPBF对比区别

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型号 IRFRC20PBF IRFRC20TRPBF

描述 VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 中高压MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 TO-252

额定功率 42 W 42 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 4.4 Ω 4.4 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 42 W 42 W

阈值电压 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A

上升时间 23 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) -

下降时间 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 42 W

高度 2.39 mm 2.38 mm

封装 TO-252 TO-252

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free