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IRFRC20PBF

IRFRC20PBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V

The is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version IRFU, SiHFU series is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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Easy to parallel
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Fast switching
IRFRC20PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 42 W

针脚数 3

漏源极电阻 4.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

高度 2.39 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFRC20PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFRC20PBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFRC20PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFRC20PBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-252 N-Channel 600V 2A

当前型号

VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFRC20TRPBF

品牌: 威世

封装: TO-252AA N-Channel 600V 2A

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N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor

IRFRC20PBF和IRFRC20TRPBF的区别