SI4436DY-T1-E3、SI4436DY-T1-GE3对比区别
型号 SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4436DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8A, SOICN 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.036 Ω 0.03 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A
输入电容(Ciss) 1100pF @30V(Vds) 1100pF @30V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 5 W
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 1.5 mm 1.55 mm
封装 SOIC SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15