SI4436DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 1100pF @30VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, Lighting
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4436DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4436DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4436DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SI4436DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4436DY-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 60V 8A | 当前型号 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SI4436DY-T1-E3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel 60V 8A | 类似代替 | VISHAY SI4436DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8A, SOIC | SI4436DY-T1-GE3和SI4436DY-T1-E3的区别 |