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BCP53、BCP53T1、BSP33,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP53 BCP53T1 BSP33,115

描述 PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNTNXP  BSP33,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 50 MHz - 100 MHz

针脚数 3 - 4

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1.5 W 1.5 W 1.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @100mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.3 W

直流电流增益(hFE) 25 - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W - 1300 mW

额定电压(DC) - -80.0 V -

额定电流 - -15.0 A -

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 3.5 mm 3.5 mm -

高度 1.6 mm 1.57 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 1000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -