IPI60R190C6、IPW60R190C6、IPP60R190C6对比区别

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型号 IPI60R190C6 IPW60R190C6 IPP60R190C6

描述 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3

通道数 - 1 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 151 W 151 W 151W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.2A 20.2A

输入电容(Ciss) - 1400pF @100V(Vds) 1400pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 151 W 34 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 151W (Tc) 151W (Tc)

阈值电压 3 V - 3 V

上升时间 11 ns - 11 ns

下降时间 9 nS - 9 ns

漏源极电阻 0.17 Ω - -

长度 10.2 mm 16.13 mm 10.36 mm

宽度 4.5 mm 5.21 mm 15.95 mm

高度 9.45 mm 21.1 mm 4.57 mm

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR NLR