IXTH60N20L2、IXTT60N20L2、APT20M45BVFRG对比区别

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型号 IXTH60N20L2 IXTT60N20L2 APT20M45BVFRG

描述 TO-247 N-CH 200V 60ATrans MOSFET N-CH 200V 60A Automotive 3Pin(2+Tab) TO-268TO-247 N-CH 200V 56A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

耗散功率 540 W 540 W 300 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 23 ns 23 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds) 4860pF @25V(Vds)

下降时间 18 ns 18 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 300W (Tc)

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 60A - 56.0 A

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 56.0 A

输入电容 - - 4.86 nF

栅电荷 - - 195 nC

额定功率(Max) - - 300 W

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free