IPD30N06S2L-13、SPD30N06S2L-13、IPD30N06S2L13ATMA4对比区别

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型号 IPD30N06S2L-13 SPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L13ATMA4

描述 INFINEON  IPD30N06S2L-13  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0106 Ω - 0.0106 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 136 W 136W (Tc) 136 W

阈值电压 1.6 V - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30.0 A -

上升时间 43 ns - 43 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns - 21 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc) 136000 mW

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

输入电容 - 2.30 nF -

栅电荷 - 69.0 nC -

额定功率(Max) - 136 W 136 W

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.41 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -