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IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD30N06S2L-13  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IPD30N06S2L-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0106 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Lighting, Single-ended motors, Solenoids control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD30N06S2L-13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD30N06S2L-13 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD30N06S2L-13  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存
替代型号IPD30N06S2L-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD30N06S2L-13

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 30A

当前型号

INFINEON  IPD30N06S2L-13  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

当前型号

型号: IPD30N06S2L13ATMA4

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel

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型号: SPD30N06S2L-13

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-CH 55V 30A 2.3nF

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