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IDT71V65803S100BQ、IDT71V65803S100BQI、71V65803S100BQG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V65803S100BQ IDT71V65803S100BQI 71V65803S100BQG

描述 256K ×36 , 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs256K ×36 , 512K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMsZBT SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TBGA TBGA CABGA-165

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 165

封装 TBGA TBGA CABGA-165

长度 - - 15 mm

宽度 - - 13 mm

高度 - - 1.2 mm

厚度 - - 1.20 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

ECCN代码 3A991 3A991 -

存取时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) - - 3.465 V

电源电压(Min) - - 3.135 V

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

RoHS标准 - - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free