TLV2262ID、TLV2262IDR、TS27M2BIDT对比区别

高亮显示差异参数

型号 TLV2262ID TLV2262IDR TS27M2BIDT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLV2262ID  运算放大器, 双路, 710 kHz, 2个放大器, 0.55 V/µs, 2.7V 至 8V, SOIC, 8 引脚高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSTS27L2，TS27L4，TS27M2，微型电源，高电压 CMOS 运算放大器TS27L2、TS27M2（双路）和 TS27L4（四路）CMOS 运算放大器提供极佳的速率消耗比率。低功耗：10 μA/amp（TS27L2，TS27L4），150 μA/amp (TS27M2) 极佳的电容性负载相位裕度 输出电压可摆幅至接地 电源电压：3 V 至 16 V ### 运算放大器，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

输出电流 ≤50 mA - 45mA @10V

供电电流 400 µA 400 µA 150 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - -

耗散功率 0.725 W 725 mW -

共模抑制比 70 dB 70 dB 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 710 kHz 670 kHz -

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 710 kHz 710 kHz 1 MHz

过温保护 No No -

输入补偿电压 300 µV 2.5 mV 250 μV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.000001μA @10V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.71 MHz 0.71 MHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 65 dB

电源电压 2.7V ~ 8V - -

电源电压(Max) - - 16V ~ 17V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99