BAS21LT1G、MMBD7000LT3G、BAS21LT3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 BAS21LT1G MMBD7000LT3G BAS21LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAON SEMICONDUCTOR  MMBD7000LT3G  开关二极管, 2串联, 0.2A SOT-23ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT3G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管二极管阵列小信号二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电流 200 mA 200 mA -

电容 5.00 pF - -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出电流 ≤200 mA - ≤200 mA

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25 V 1.1V @100mA 1.25V @200mA

极性 Standard - Standard

耗散功率 385 mW 225 mW 385 mW

热阻 417℃/W (RθJA) - 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns 4 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 625 mA 500 mA 625 mA

正向电压(Max) 1.25 V 700 mV 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

额定电压(DC) - 100 V -

长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -