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LM158J、LM158J/883、LM258DT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM158J LM158J/883 LM258DT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM158J  运算放大器, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 8 引脚LM158QML低功耗双运算放大器 LM158QML Low Power Dual Operational AmplifiersLM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 CDIP-8 DIP SOIC-8

输出电流 40mA @15V - 60 mA

供电电流 1 mA - 700 µA

电路数 2 - 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB - 85 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K - -

带宽 1 MHz - 1.1 MHz

转换速率 500 mV/μs - 600 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz

输入补偿电压 2 mV - 1 mV

输入偏置电流 45 nA - 20 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz - 1.1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

耗散功率(Max) - 830 mW -

电源电压(DC) - - 32.0 V

电源电压 - - 3V ~ 30V

封装 CDIP-8 DIP SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99