BUZ73A、BUZ73L、IRF620对比区别

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型号 BUZ73A BUZ73L IRF620

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorN - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 5.50 A 7.00 A 6.00 A

额定功率 40 W - -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 600 mΩ 400 mΩ 100 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 40 W 40 W 70 W

输入电容 530 pF 840 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 7.00 A 6.00 A

上升时间 40 ns 60 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W - 70 W

下降时间 30 ns 40 ns 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 70W (Tc)

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10 mm 10 mm 10.4 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.6 mm

高度 15.65 mm 15.65 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free