IRF620中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF620引脚图与封装图 
IRF620引脚图
IRF620封装图
IRF620封装焊盘图
在线购买IRF620
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF620 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号IRF620
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF620 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 6A 100mohms | 当前型号 | N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： BUZ73A 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 200V 5.5A 530pF | 功能相似 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | IRF620和BUZ73A的区别 |