锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FQB13N10LTM、SFF130G、FQB13N10L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB13N10LTM SFF130G FQB13N10L

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN-CH 100V 14ALOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Solid State Devices Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 - D2PAK

安装方式 Surface Mount - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 12.8 A 14A 12.8A

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 12.8 A - -

漏源极电阻 142 mΩ - -

耗散功率 3.75 W - -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 220 ns - -

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) - -

下降时间 72 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 65W (Tc) - -

封装 TO-263-3 - D2PAK

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -