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FQB13N10LTM

FQB13N10LTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQB13N10LTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 12.8 A

漏源极电阻 142 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 12.8 A

上升时间 220 ns

输入电容Ciss 520pF @25VVds

下降时间 72 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB13N10LTM引脚图与封装图
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在线购买FQB13N10LTM
型号 制造商 描述 购买
FQB13N10LTM Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存
替代型号FQB13N10LTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQB13N10LTM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 100V 12.8A 142mohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 100V 12.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

当前型号

型号: FQB13N10L

品牌: 飞兆/仙童

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