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MJD200RLG、MJD200T4、MJD44H11T4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD200RLG MJD200T4 MJD44H11T4

描述 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power TransistorsSTMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 80.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 8.00 A

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 12.5 W 12.5 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 20 W

直流电流增益(hFE) 70 - 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW 20000 mW

频率 65 MHz - -

集电极最大允许电流 5A 5A -

增益频宽积 - 65 MHz -

长度 - 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 6.22 mm 6.2 mm

高度 - 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99