FQP9N25、STP80NF10、SPP04N80C3对比区别

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型号 FQP9N25 STP80NF10 SPP04N80C3

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 800 V

额定电流 - 80.0 A 4.00 A

额定功率 - 300 W 63 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.012 Ω 1.1 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 300 W 63 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 250 V 100 V 800 V

漏源击穿电压 - 100 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A 80.0 A 4.00 A

上升时间 105 ns 80 ns 15 ns

输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 63 W

下降时间 45 ns 60 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 63W (Tc)

输入电容 - 5500 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.4 mm

高度 16.3 mm 9.15 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -