FQP9N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP9N25中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 9.4A
上升时间 105 ns
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
FQP9N25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP9N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP9N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-CH 250V 9.4A | 当前型号 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP9N25和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP9N25和STP80NF10的区别 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FQP9N25和SPA04N80C3的区别 |